1 不一定先进。
2 Rambus和DDR是两种不同类型的内存技术,各自有各自的优缺点。
相对于DDR而言,Rambus的数据传输速度更快,但成本更高,兼容性也较低。
因此无法一概而论认为Rambus比DDR先进或者落后。
3 随着科技的发展,未来可能会有更加先进的内存技术出现。
在电路中,FB代表铁氧体磁珠(Ferrite Bead)。铁氧体磁珠是一种利用电感原理制作而成的元器件,主要用于抑制信号或电源线的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力。它是应用发展很快且廉价易用的一种抗干扰器件,其原理图符号通常与电感器是一样的。
磁珠与电感不同,电感是储能元件,磁珠则充当的是高频电阻。磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠是用来吸收超高频信号,像一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDRSDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠。
磁珠在高频段的阻抗由电阻成分构成,随着频率升高,磁芯的磁导率降低,导致电感的阻抗增加。因此,磁珠在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗,从而提高调频滤波效果。
总的来说,FB在电路中起到抑制高频噪声、尖峰干扰以及吸收静电脉冲的重要作用。
DRAM芯片即动态随机存取存储器,DRAM 只能将数据保持很短的时间,所以需要定时刷新。DRAM 分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作 DDR SDRAM,这种改进型的 RAM 和 SDRAM 是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前 电脑中用得最多的,而且它有着成本优势,事实上击败了 Intel 的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端 的显卡上,也配备了高速 DDR RAM 来提高带宽,这可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能力。
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory RDRAM:Rambus DRAM(与DDR SDRAM一样,是在一个时钟周期内传输两次数据)
DDR SDRAM:Double Data Rate SDRAM(之所以,称为双数据速率,是因为数据存取发生在时钟的上升沿及下降沿) 它们都是同步动态随机存储器,PC机上不可少的零部件。存储二进制信息的单位,为兆比特(Mbit)。其中,RDRAM为串行传输,其它两款为并行传输。DDR SDRAM是SDRAM的升级版,速率相对来说快一倍。另外,还有DDR-II、DDR-III系列。RDRAM由于成本较高,未成为主流产品,但速率很快,可以达到400MHz以上。 要区别它们的话,看芯片上的命名。有不同厂商、不同的型号。到官方网站下载数据手册。需要一定的专业知识。
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